Številka izdelka proizvajalca:
SI5418DU-T1-GE3
Product Overview
Proizvajalec:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Številka dela:
SI5418DU-T1-GE3-DG
Opis:
MOSFET N-CH 30V 12A PPAK
Podroben opis:
N-Channel 30 V 12A (Tc) 3.1W (Ta), 31W (Tc) Surface Mount PowerPAK® ChipFET™ Single
Zaloga:
1882 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12954366
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
SI5418DU-T1-GE3 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Vishay
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
TrenchFET®
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
30 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
12A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
14.5mOhm @ 7.7A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1350 pF @ 15 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
3.1W (Ta), 31W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PowerPAK® ChipFET™ Single
Paket / Primer
PowerPAK® ChipFET™ Single
Osnovna številka izdelka
SI5418
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
SI5418DU-T1-GE3CT
SI5418DU-T1-GE3TR
SI5418DUT1GE3
SI5418DU-T1-GE3DKR
Standardni paket
3,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
SD214DE TO-72 4L
HIGH SPEED N-CHANNEL LATERAL DMO
SIDR104ADP-T1-RE3
MOSFET N-CH 100V 18.8A/81A PPAK
JAN2N6768
MOSFET N-CH 400V 14A TO204AE
