Številka izdelka proizvajalca:
SI5975DC-T1-E3
Product Overview
Proizvajalec:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Številka dela:
SI5975DC-T1-E3-DG
Opis:
MOSFET 2P-CH 12V 3.1A 1206-8
Podroben opis:
Mosfet Array 12V 3.1A 1.1W Surface Mount 1206-8 ChipFET™
Zaloga:
12912389
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
SI5975DC-T1-E3 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, FET, MOSFET nizi
Proizvajalec
Vishay
Pakiranje
-
Serije
TrenchFET®
Stanje izdelka
Obsolete
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguracijo
2 P-Channel (Dual)
Funkcija FET
Logic Level Gate
Odtok do napetosti vira (vdss)
12V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
3.1A
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
86mOhm @ 3.1A, 4.5V
vgs(th) (maks) @ id
450mV @ 1mA (Min)
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
9nC @ 4.5V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
-
Moč - največja
1.1W
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket / Primer
8-SMD, Flat Lead
Paket naprav dobavitelja
1206-8 ChipFET™
Osnovna številka izdelka
SI5975
Dodatne informacije
Standardni paket
3,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
SI5935CDC-T1-GE3
PROIZVAJALEC
Vishay Siliconix
KOLIČINA NA VOLJO
11398
ŠTEVILKA DELA
SI5935CDC-T1-GE3-DG
CENA ENOTE
0.15
VRSTA NADOMESTILA
Direct
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
SI4906DY-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 40V 6.6A 8SOIC
SI4952DY-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC
SI5902BDC-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8
