SI7106DN-T1-E3
Številka izdelka proizvajalca:

SI7106DN-T1-E3

Product Overview

Proizvajalec:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Številka dela:

SI7106DN-T1-E3-DG

Opis:

MOSFET N-CH 20V 12.5A PPAK1212-8
Podroben opis:
N-Channel 20 V 12.5A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount PowerPAK® 1212-8

Zaloga:

32856 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12914723
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

SI7106DN-T1-E3 Tehnične specifikacije

Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Vishay
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
TrenchFET®
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
20 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
12.5A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
2.5V, 4.5V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
6.2mOhm @ 19.5A, 4.5V
vgs(th) (maks) @ id
1.5V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
27 nC @ 4.5 V
Vgs (maks)
±12V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
1.5W (Ta)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PowerPAK® 1212-8
Paket / Primer
PowerPAK® 1212-8
Osnovna številka izdelka
SI7106

Tehnični list in dokumenti

Podatkovni listi
HTML tehnični list
Tehnični listi

Dodatne informacije

Druga imena
SI7106DN-T1-E3CT
SI7106DN-T1-E3TR
SI7106DN-T1-E3DKR
SI7106DNT1E3
Standardni paket
3,000

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
vishay-siliconix

SI1031X-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 155MA SC75A

vishay-siliconix

SI1031X-T1-E3

MOSFET P-CH 20V 155MA SC75A

vishay-siliconix

SI3453DV-T1-GE3

MOSFET P-CHANNEL 30V 3.4A 6TSOP

vishay-siliconix

SI7230DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 9A PPAK 1212-8