Številka izdelka proizvajalca:
SI7106DN-T1-E3
Product Overview
Proizvajalec:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Številka dela:
SI7106DN-T1-E3-DG
Opis:
MOSFET N-CH 20V 12.5A PPAK1212-8
Podroben opis:
N-Channel 20 V 12.5A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Zaloga:
32856 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12914723
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
SI7106DN-T1-E3 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Vishay
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
TrenchFET®
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
20 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
12.5A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
2.5V, 4.5V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
6.2mOhm @ 19.5A, 4.5V
vgs(th) (maks) @ id
1.5V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
27 nC @ 4.5 V
Vgs (maks)
±12V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
1.5W (Ta)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PowerPAK® 1212-8
Paket / Primer
PowerPAK® 1212-8
Osnovna številka izdelka
SI7106
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
SI7106DN-T1-E3CT
SI7106DN-T1-E3TR
SI7106DN-T1-E3DKR
SI7106DNT1E3
Standardni paket
3,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
SI1031X-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 155MA SC75A
SI1031X-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 155MA SC75A
SI3453DV-T1-GE3
MOSFET P-CHANNEL 30V 3.4A 6TSOP
