Številka izdelka proizvajalca:
SI7288DP-T1-GE3
Product Overview
Proizvajalec:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Številka dela:
SI7288DP-T1-GE3-DG
Opis:
MOSFET 2N-CH 40V 20A PPAK SO8
Podroben opis:
Mosfet Array 40V 20A 15.6W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
Zaloga:
112499 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12918224
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
SI7288DP-T1-GE3 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, FET, MOSFET nizi
Proizvajalec
Vishay
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
TrenchFET®
Stanje izdelka
Active
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguracijo
2 N-Channel (Dual)
Funkcija FET
-
Odtok do napetosti vira (vdss)
40V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
20A
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
19mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.8V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
15nC @ 10V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
565pF @ 20V
Moč - največja
15.6W
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket / Primer
PowerPAK® SO-8 Dual
Paket naprav dobavitelja
PowerPAK® SO-8 Dual
Osnovna številka izdelka
SI7288
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
SI7288DP-T1-GE3CT
SI7288DPT1GE3
SI7288DP-T1-GE3TR
SI7288DP-T1-GE3DKR
Standardni paket
3,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
SI7904DN-T1-E3
MOSFET 2N-CH 20V 5.3A PPAK 1212
SI3585CDV-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 20V 3.9A 6TSOP
SQJ560EP-T1_GE3
MOSFET N/P-CH 60V 30A PPAK SO8
