Številka izdelka proizvajalca:
SI7448DP-T1-GE3
Product Overview
Proizvajalec:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Številka dela:
SI7448DP-T1-GE3-DG
Opis:
MOSFET N-CH 20V 13.4A PPAK SO-8
Podroben opis:
N-Channel 20 V 13.4A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Zaloga:
12912366
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
SI7448DP-T1-GE3 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Vishay
Pakiranje
-
Serije
TrenchFET®
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
20 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
13.4A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
2.5V, 4.5V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
6.5mOhm @ 22A, 4.5V
vgs(th) (maks) @ id
1.5V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
50 nC @ 4.5 V
Vgs (maks)
±12V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
1.9W (Ta)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PowerPAK® SO-8
Paket / Primer
PowerPAK® SO-8
Osnovna številka izdelka
SI7448
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Standardni paket
3,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
SIR410DP-T1-GE3
PROIZVAJALEC
Vishay Siliconix
KOLIČINA NA VOLJO
7636
ŠTEVILKA DELA
SIR410DP-T1-GE3-DG
CENA ENOTE
0.37
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IRFP22N50A
MOSFET N-CH 500V 22A TO247-3
IRL640STRR
MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK
IRLR120TRR
MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
