SI7501DN-T1-E3
Številka izdelka proizvajalca:

SI7501DN-T1-E3

Product Overview

Proizvajalec:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Številka dela:

SI7501DN-T1-E3-DG

Opis:

MOSFET N/P-CH 30V 5.4A 1212-8
Podroben opis:
Mosfet Array 30V 5.4A, 4.5A 1.6W Surface Mount PowerPAK® 1212-8 Dual

Zaloga:

Povpraševanje po cenah na spletu
12918051
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
6AIH
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

SI7501DN-T1-E3 Tehnične specifikacije

Kategorija
FET-i, MOSFET-i, FET, MOSFET nizi
Proizvajalec
Vishay
Pakiranje
-
Serije
-
Stanje izdelka
Obsolete
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguracijo
N and P-Channel, Common Drain
Funkcija FET
Logic Level Gate
Odtok do napetosti vira (vdss)
30V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
5.4A, 4.5A
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
35mOhm @ 7.7A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
14nC @ 10V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
-
Moč - največja
1.6W
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket / Primer
PowerPAK® 1212-8 Dual
Paket naprav dobavitelja
PowerPAK® 1212-8 Dual
Osnovna številka izdelka
SI7501

Dodatne informacije

Druga imena
SI7501DN-T1-E3TR
SI7501DNT1E3
SI7501DN-T1-E3CT
SI7501DN-T1-E3DKR
Standardni paket
3,000

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Sorodni izdelki
vishay-siliconix

SI3590DV-T1-E3

MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6TSOP

vishay-siliconix

SQJQ980EL-T1_GE3

MOSFET 2N-CH 80V 36A PPAK8X8

vishay-siliconix

SI4816DY-T1-E3

MOSFET 2N-CH 30V 5.3A/7.7A 8SOIC

vishay-siliconix

SI4567DY-T1-E3

MOSFET N/P-CH 40V 5A/4.4A 8SOIC