Številka izdelka proizvajalca:

SI8902AEDB-T2-E1

Product Overview

Proizvajalec:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Številka dela:

SI8902AEDB-T2-E1-DG

Opis:

MOSFET 2N-CH 24V 11A 6MICRO FOOT

Podroben opis:

Mosfet Array 24V 11A 5.7W Surface Mount 6-Micro Foot™ (1.5x1)

Zaloga:

Povpraševanje po cenah na spletu

12921749

Zahtevaj ponudbo

Količina
Minimun 1

5vkf

(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah

POŠTITE

SI8902AEDB-T2-E1 Tehnične specifikacije

Kategorija

FET-i, MOSFET-i, FET, MOSFET nizi

Proizvajalec

Vishay

Pakiranje

Tape & Reel (TR)

Serije

TrenchFET®

Stanje izdelka

Active

Tehnologija

MOSFET (Metal Oxide)

Konfiguracijo

2 N-Channel (Dual)

Funkcija FET

-

Odtok do napetosti vira (vdss)

24V

Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C

11A

RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs

28mOhm @ 1A, 4.5V

vgs(th) (maks) @ id

900mV @ 250µA

Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs

-

Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds

-

Moč - največja

5.7W

Delovna temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Vrsta montaže

Surface Mount

Paket / Primer

6-UFBGA

Paket naprav dobavitelja

6-Micro Foot™ (1.5x1)

Osnovna številka izdelka

SI8902

Tehnični list in dokumenti

Podatkovni listi

HTML tehnični list

SI8902AEDB-T2-E1-DG

Tehnični listi

SI8902AEDB-T2-E1

Dodatne informacije

Standardni paket

3,000

Okoljska in izvozna klasifikacija

Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)

1 (Unlimited)

Stanje uredbe REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certifikat

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Sorodni izdelki

diodes

2N7002VA-7

MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT-563

vishay-siliconix

SIZ916DT-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 30V 16A 8PWRPAIR

diodes

ZDM4306NTA

MOSFET 2N-CH 60V 2A SOT-223-8

vishay-siliconix

SIA513DJ-T1-GE3

MOSFET N/P-CH 20V 4.5A SC70-6