Številka izdelka proizvajalca:
SIA445EDJT-T1-GE3
Product Overview
Proizvajalec:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Številka dela:
SIA445EDJT-T1-GE3-DG
Opis:
MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
Podroben opis:
P-Channel 20 V 12A (Tc) 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Single
Zaloga:
2300 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12920080
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
SIA445EDJT-T1-GE3 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Vishay
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
P-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
20 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
12A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
2.5V, 4.5V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
16.7mOhm @ 7A, 4.5V
vgs(th) (maks) @ id
1.2V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
69 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±12V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
2180 pF @ 10 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
19W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PowerPAK® SC-70-6 Single
Paket / Primer
PowerPAK® SC-70-6
Osnovna številka izdelka
SIA445
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Druga imena
SIA445EDJT-T1-GE3DKR
SIA445EDJT-T1-GE3TR
SIA445EDJT-T1-GE3-DG
SIA445EDJT-T1-GE3CT
Standardni paket
3,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
SI7431DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 200V 2.2A PPAK SO-8
SIJA72ADP-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 27.9A/96A PPAK
SIR408DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8
