Domov
Izdelki
Proizvajalci
O DiGi
Kontaktirajte nas
Blogi in objave
Povpraševanje/Offer
Slovenia
Prijavite se
Izbira jezika
Trenutni jezik vašega izbora:
Slovenia
Preklopi:
Angleščina
Evropa
Velika Britanija
Francija
Španija
Turčija
Moldavija
Litva
Norveška
Nemčija
Portugalska
Slovaška
ltaly
Finska
Ruščina
Bolgarija
Danska
Estonija
Poljska
Ukrajina
Slovenija
Češčina
Grščina
Hrvaška
Izrael
Srbija
Belorusija
Nizozemska
Švedska
Črna gora
Baskovščina
Islandija
Bosna
Madžarščina
Romunija
Avstrija
Belgija
Irska
Azija / Pacifik
Kitajska
Vietnam
Indonezija
Tajska
Laos
Filipinščina
Malezija
Koreja
Japonska
Hongkong
Tajvan
Singapur
Pakistan
Saudska Arabija
Katar
Kuvajt
Kambodža
Mjanmar
Afrika, Indija in Bližnji vzhod
Združeni arabski emirati
Tadžikistan
Madagaskar
Indija
Iran
DR Kongo
Južna Afrika
Egipt
Kenija
Tanzanija
Gana
Senegal
Maroko
Tunizija
Južna Amerika / Oceanija
Nova Zelandija
Angola
Brazilija
Mozambik
Peru
Kolumbija
Čile
Venezuela
Ekvador
Bolivija
Urugvaj
Argentina
Paragvaj
Avstralija
Severna Amerika
Združene države Amerike
Haiti
Kanada
Kostarika
Mehika
O DiGi
O nas
O nas
Naše certifikate
DiGi Uvod
Zakaj DiGi
Politika
Politika kakovosti
Pogoji uporabe
Skladnost z direktivo RoHS
Postopek vračila
Viri
Kategorije izdelkov
Proizvajalci
Blogi in objave
Storitve
Garancija kakovosti
Način Plačila
Globalna pošiljka
Cene pošiljanja
Pogosta vprašanja
Številka izdelka proizvajalca:
SIA921EDJ-T4-GE3
Product Overview
Proizvajalec:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Številka dela:
SIA921EDJ-T4-GE3-DG
Opis:
MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
Podroben opis:
Mosfet Array 20V 4.5A 7.8W Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual
Zaloga:
Povpraševanje po cenah na spletu
12915914
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
*
Podjetje
*
Ime kontaktne osebe
*
Telefon
*
E-pošta
Naslov za dostavo
Sporočilo
(
*
) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
SIA921EDJ-T4-GE3 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, FET, MOSFET nizi
Proizvajalec
Vishay
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
TrenchFET®
Stanje izdelka
Active
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguracijo
2 P-Channel (Dual)
Funkcija FET
Logic Level Gate
Odtok do napetosti vira (vdss)
20V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
4.5A
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
59mOhm @ 3.6A, 4.5V
vgs(th) (maks) @ id
1.4V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
23nC @ 10V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
-
Moč - največja
7.8W
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket / Primer
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Paket naprav dobavitelja
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Osnovna številka izdelka
SIA921
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
SIA921EDJ
HTML tehnični list
SIA921EDJ-T4-GE3-DG
Tehnični listi
SIA921EDJ-T4-GE3
Dodatne informacije
Standardni paket
3,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
PMDPB58UPE,115
PROIZVAJALEC
Nexperia USA Inc.
KOLIČINA NA VOLJO
17912
ŠTEVILKA DELA
PMDPB58UPE,115-DG
CENA ENOTE
0.11
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
ŠTEVILO DELA
PMDPB55XP,115
PROIZVAJALEC
Nexperia USA Inc.
KOLIČINA NA VOLJO
1754
ŠTEVILKA DELA
PMDPB55XP,115-DG
CENA ENOTE
0.13
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
ŠTEVILO DELA
DMP2160UFDBQ-7
PROIZVAJALEC
Diodes Incorporated
KOLIČINA NA VOLJO
16523
ŠTEVILKA DELA
DMP2160UFDBQ-7-DG
CENA ENOTE
0.15
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
SI4830CDY-T1-E3
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
SI5908DC-T1-E3
MOSFET 2N-CH 20V 4.4A 1206-8
SI1024X-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 20V 485MA SC89
SI5933CDC-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 20V 3.7A 1206-8