Številka izdelka proizvajalca:
SIB433EDK-T1-GE3
Product Overview
Proizvajalec:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Številka dela:
SIB433EDK-T1-GE3-DG
Opis:
MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC75-6
Podroben opis:
P-Channel 20 V 9A (Tc) 2.4W (Ta), 13W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-75-6
Zaloga:
12787778
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
SIB433EDK-T1-GE3 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Vishay
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
TrenchFET®
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
P-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
20 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
9A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
1.8V, 4.5V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
58mOhm @ 3.7A, 4.5V
vgs(th) (maks) @ id
1V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
21 nC @ 8 V
Vgs (maks)
±8V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
2.4W (Ta), 13W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PowerPAK® SC-75-6
Paket / Primer
PowerPAK® SC-75-6
Osnovna številka izdelka
SIB433
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
SIB433EDKT1GE3
SIB433EDK-T1-GE3DKR
SIB433EDK-T1-GE3CT
SIB433EDK-T1-GE3TR
Standardni paket
3,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
VP0808B
MOSFET P-CH 80V 880MA TO39
SUP50010E-GE3
MOSFET N-CH 60V 150A TO220AB
AOD4184L
MOSFET
