Številka izdelka proizvajalca:
SIE854DF-T1-GE3
Product Overview
Proizvajalec:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Številka dela:
SIE854DF-T1-GE3-DG
Opis:
MOSFET N-CH 100V 60A 10POLARPAK
Podroben opis:
N-Channel 100 V 60A (Tc) 5.2W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount 10-PolarPAK® (L)
Zaloga:
12917897
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
SIE854DF-T1-GE3 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Vishay
Pakiranje
-
Serije
TrenchFET®
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
100 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
60A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
14.2mOhm @ 13.2A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4.4V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
75 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
3100 pF @ 50 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
5.2W (Ta), 125W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
10-PolarPAK® (L)
Paket / Primer
10-PolarPAK® (L)
Osnovna številka izdelka
SIE854
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
SIE854DF-T1-GE3CT
SIE854DF-T1-GE3DKR
SIE854DFT1GE3
SIE854DF-T1-GE3TR
Standardni paket
3,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
SIR846ADP-T1-GE3
PROIZVAJALEC
Vishay Siliconix
KOLIČINA NA VOLJO
0
ŠTEVILKA DELA
SIR846ADP-T1-GE3-DG
CENA ENOTE
0.86
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
SI7382DP-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 14A PPAK SO-8
SUP18N15-95-E3
MOSFET N-CH 150V 18A TO220-3
BUK6207-55C,118
MOSFET N-CH 55V 90A DPAK
