Številka izdelka proizvajalca:
SIHA12N60E-E3
Product Overview
Proizvajalec:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Številka dela:
SIHA12N60E-E3-DG
Opis:
MOSFET N-CH 600V 12A TO220
Podroben opis:
N-Channel 600 V 12A (Tc) 33W (Tc) Through Hole TO-220 Full Pack
Zaloga:
923 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12918530
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
SIHA12N60E-E3 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Vishay
Pakiranje
Tube
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
600 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
12A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
380mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
58 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
937 pF @ 100 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
33W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-220 Full Pack
Paket / Primer
TO-220-3 Full Pack
Osnovna številka izdelka
SIHA12
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
SIHA12N60E-E3CT
SIHA12N60E-E3CT-DG
Standardni paket
50
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
SIR870DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
SI4630DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 25V 40A 8SO
SI4836DY-T1-E3
MOSFET N-CH 12V 17A 8SO
