SIHA21N65EF-E3
Številka izdelka proizvajalca:

SIHA21N65EF-E3

Product Overview

Proizvajalec:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Številka dela:

SIHA21N65EF-E3-DG

Opis:

MOSFET N-CH 650V 21A TO220
Podroben opis:
N-Channel 650 V 21A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220 Full Pack

Zaloga:

Povpraševanje po cenah na spletu
12786800
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
fZac
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

SIHA21N65EF-E3 Tehnične specifikacije

Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Vishay
Pakiranje
Tube
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
650 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
21A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
180mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
106 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
2322 pF @ 100 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
35W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-220 Full Pack
Paket / Primer
TO-220-3 Full Pack
Osnovna številka izdelka
SIHA21

Tehnični list in dokumenti

Podatkovni listi
SIHA21N65EF
HTML tehnični list
SIHA21N65EF-E3-DG
Tehnični listi
SIHA21N65EF-E3

Dodatne informacije

Standardni paket
50

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Sorodni izdelki
vishay-siliconix

SQJQ410EL-T1_GE3

MOSFET N-CH 100V 135A PPAK 8 X 8

vishay-siliconix

SIHB12N60ET5-GE3

MOSFET N-CH 600V 12A TO263

vishay-siliconix

SIHB12N50C-E3

MOSFET N-CH 500V 12A D2PAK

vishay-siliconix

SQD50N04-5M6_T4GE3

MOSFET N-CH 40V 50A TO252AA