Številka izdelka proizvajalca:
SIHA2N80E-GE3
Product Overview
Proizvajalec:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Številka dela:
SIHA2N80E-GE3-DG
Opis:
MOSFET N-CH 800V 2.8A TO220
Podroben opis:
N-Channel 800 V 2.8A (Tc) 29W (Tc) Through Hole TO-220 Full Pack
Zaloga:
25 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12786419
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
SIHA2N80E-GE3 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Vishay
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
E
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
800 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
2.8A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
2.75Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
19.6 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
315 pF @ 100 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
29W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-220 Full Pack
Paket / Primer
TO-220-3 Full Pack
Osnovna številka izdelka
SIHA2
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
SIHA2N80E-GE3DKRINACTIVE
SIHA2N80E-GE3DKR-DG
SIHA2N80E-GE3CT
SIHA2N80E-GE3TR
SIHA2N80E-GE3DKR
Standardni paket
1,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
SQS401EN-T1_GE3
MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8
SQJQ480E-T1_GE3
MOSFET N-CH 80V 150A PPAK 8 X 8
SIE822DF-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 50A 10POLARPAK
