SIHD2N80E-GE3
Številka izdelka proizvajalca:

SIHD2N80E-GE3

Product Overview

Proizvajalec:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Številka dela:

SIHD2N80E-GE3-DG

Opis:

MOSFET N-CH 800V 2.8A DPAK
Podroben opis:
N-Channel 800 V 2.8A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount TO-252AA

Zaloga:

1 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12786126
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

SIHD2N80E-GE3 Tehnične specifikacije

Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Vishay
Pakiranje
Tube
Serije
E
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
800 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
2.8A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
2.75Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
19.6 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
315 pF @ 100 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
62.5W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
TO-252AA
Paket / Primer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Osnovna številka izdelka
SIHD2

Tehnični list in dokumenti

HTML tehnični list
SIHD2N80E-GE3-DG
Tehnični listi
SIHD2N80E-GE3
Podatkovni listi
SIHD2N80E SIHD2N80E

Dodatne informacije

Druga imena
SIHD2N80E-GE3CT
SIHD2N80E-GE3TRINACTIVE
SIHD2N80E-GE3DKR
SIHD2N80E-GE3CT-DG
SIHD2N80E-GE3DKR-DG
SIHD2N80E-GE3TR-DG
SIHD2N80E-GE3DKRINACTIVE
SIHD2N80E-GE3TR
Standardni paket
3,000

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternativni modeli

ŠTEVILO DELA
STD2N62K3
PROIZVAJALEC
STMicroelectronics
KOLIČINA NA VOLJO
2192
ŠTEVILKA DELA
STD2N62K3-DG
CENA ENOTE
0.54
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
ŠTEVILO DELA
SPD02N80C3ATMA1
PROIZVAJALEC
Infineon Technologies
KOLIČINA NA VOLJO
8940
ŠTEVILKA DELA
SPD02N80C3ATMA1-DG
CENA ENOTE
0.43
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
DIGI Certifikat
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Sorodni izdelki
vishay-siliconix

SIHD7N60ET4-GE3

MOSFET N-CH 600V 7A TO252AA

vishay-siliconix

SIS444DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 35A PPAK1212-8

vishay-siliconix

SUM110N06-3M9H-E3

MOSFET N-CH 60V 110A TO263

vishay-siliconix

SIHB22N60E-GE3

MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK