Domov
Izdelki
Proizvajalci
O DiGi
Kontaktirajte nas
Blogi in objave
Povpraševanje/Offer
Slovenia
Prijavite se
Izbira jezika
Trenutni jezik vašega izbora:
Slovenia
Preklopi:
Angleščina
Evropa
Velika Britanija
Francija
Španija
Turčija
Moldavija
Litva
Norveška
Nemčija
Portugalska
Slovaška
ltaly
Finska
Ruščina
Bolgarija
Danska
Estonija
Poljska
Ukrajina
Slovenija
Češčina
Grščina
Hrvaška
Izrael
Srbija
Belorusija
Nizozemska
Švedska
Črna gora
Baskovščina
Islandija
Bosna
Madžarščina
Romunija
Avstrija
Belgija
Irska
Azija / Pacifik
Kitajska
Vietnam
Indonezija
Tajska
Laos
Filipinščina
Malezija
Koreja
Japonska
Hongkong
Tajvan
Singapur
Pakistan
Saudska Arabija
Katar
Kuvajt
Kambodža
Mjanmar
Afrika, Indija in Bližnji vzhod
Združeni arabski emirati
Tadžikistan
Madagaskar
Indija
Iran
DR Kongo
Južna Afrika
Egipt
Kenija
Tanzanija
Gana
Senegal
Maroko
Tunizija
Južna Amerika / Oceanija
Nova Zelandija
Angola
Brazilija
Mozambik
Peru
Kolumbija
Čile
Venezuela
Ekvador
Bolivija
Urugvaj
Argentina
Paragvaj
Avstralija
Severna Amerika
Združene države Amerike
Haiti
Kanada
Kostarika
Mehika
O DiGi
O nas
O nas
Naše certifikate
DiGi Uvod
Zakaj DiGi
Politika
Politika kakovosti
Pogoji uporabe
Skladnost z direktivo RoHS
Postopek vračila
Viri
Kategorije izdelkov
Proizvajalci
Blogi in objave
Storitve
Garancija kakovosti
Način Plačila
Globalna pošiljka
Cene pošiljanja
Pogosta vprašanja
Številka izdelka proizvajalca:
SIHD5N50D-GE3
Product Overview
Proizvajalec:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Številka dela:
SIHD5N50D-GE3-DG
Opis:
MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252AA
Podroben opis:
N-Channel 500 V 5.3A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount DPAK
Zaloga:
Povpraševanje po cenah na spletu
12786150
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
*
Podjetje
*
Ime kontaktne osebe
*
Telefon
*
E-pošta
Naslov za dostavo
Sporočilo
(
*
) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
SIHD5N50D-GE3 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Vishay
Pakiranje
Tube
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
500 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
5.3A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
1.5Ohm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
5V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
325 pF @ 100 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
104W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
DPAK
Paket / Primer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Osnovna številka izdelka
SIHD5
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
SIHD5N50D
SIHD5N50D
Dodatne informacije
Druga imena
SIHD5N50D-GE3DKR-DG
SIHD5N50D-GE3DKRINACTIVE
SIHD5N50D-GE3CT
SIHD5N50D-GE3TR
SIHD5N50D-GE3TRINACTIVE
SIHD5N50DGE3
SIHD5N50D-GE3DKR
SIHD5N50D-GE3TR-DG
SIHD5N50D-GE3CT-DG
Standardni paket
75
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
IRFR825TRPBF
PROIZVAJALEC
Infineon Technologies
KOLIČINA NA VOLJO
52779
ŠTEVILKA DELA
IRFR825TRPBF-DG
CENA ENOTE
0.84
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
ŠTEVILO DELA
TK5P50D(T6RSS-Q)
PROIZVAJALEC
Toshiba Semiconductor and Storage
KOLIČINA NA VOLJO
1982
ŠTEVILKA DELA
TK5P50D(T6RSS-Q)-DG
CENA ENOTE
0.44
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
ŠTEVILO DELA
TK7P50D(T6RSS-Q)
PROIZVAJALEC
Toshiba Semiconductor and Storage
KOLIČINA NA VOLJO
1980
ŠTEVILKA DELA
TK7P50D(T6RSS-Q)-DG
CENA ENOTE
0.49
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
ŠTEVILO DELA
TK6P53D(T6RSS-Q)
PROIZVAJALEC
Toshiba Semiconductor and Storage
KOLIČINA NA VOLJO
1990
ŠTEVILKA DELA
TK6P53D(T6RSS-Q)-DG
CENA ENOTE
0.47
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
ŠTEVILO DELA
STD5N52U
PROIZVAJALEC
STMicroelectronics
KOLIČINA NA VOLJO
4972
ŠTEVILKA DELA
STD5N52U-DG
CENA ENOTE
0.42
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
SUD50P04-15-E3
MOSFET P-CH 40V 50A TO252
SIR494DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 12V 60A PPAK SO-8
SIRA60DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8
SQ2309ES-T1_GE3
MOSFET P-CH 60V 1.7A TO236