Številka izdelka proizvajalca:
SIHF9520S-GE3
Product Overview
Proizvajalec:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Številka dela:
SIHF9520S-GE3-DG
Opis:
MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
Podroben opis:
P-Channel 100 V 6.8A (Tc) 3.7W (Ta), 60W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Zaloga:
788 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12964885
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
SIHF9520S-GE3 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Vishay
Pakiranje
Tube
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
P-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
100 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
6.8A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
600mOhm @ 4.1A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
390 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
3.7W (Ta), 60W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
TO-263 (D2PAK)
Paket / Primer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Osnovna številka izdelka
SIHF9520
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Druga imena
742-SIHF9520S-GE3
SIHF9520S-GE3-DG
Standardni paket
1,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
IRF9520SPBF
PROIZVAJALEC
Vishay Siliconix
KOLIČINA NA VOLJO
1105
ŠTEVILKA DELA
IRF9520SPBF-DG
CENA ENOTE
0.62
VRSTA NADOMESTILA
Parametric Equivalent
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
PJA3436_R1_00001
SOT-23, MOSFET
PJA3415_R1_00001
SOT-23, MOSFET
SSM3K7002KFU,LXH
SMOS LOW RON NCH IO: 0.4A VDSS:
