SIHG22N60E-GE3
Številka izdelka proizvajalca:

SIHG22N60E-GE3

Product Overview

Proizvajalec:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Številka dela:

SIHG22N60E-GE3-DG

Opis:

MOSFET N-CH 600V 21A TO247AC
Podroben opis:
N-Channel 600 V 21A (Tc) 227W (Tc) Through Hole TO-247AC

Zaloga:

498 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12965891
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

SIHG22N60E-GE3 Tehnične specifikacije

Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Vishay
Pakiranje
Tube
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
600 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
21A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
180mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
86 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1920 pF @ 100 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
227W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-247AC
Paket / Primer
TO-247-3
Osnovna številka izdelka
SIHG22

Tehnični list in dokumenti

Podatkovni listi
SIHG22N60E

Dodatne informacije

Standardni paket
25

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Sorodni izdelki
vishay-siliconix

SIHG24N65E-E3

MOSFET N-CH 650V 24A TO247AC

vishay-siliconix

SIHG73N60AEL-GE3

MOSFET N-CH 600V 69A TO247AC

vishay-siliconix

SIR172ADP-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 24A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SIR158DP-T1-RE3

MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8