SIHP11N80E-BE3
Številka izdelka proizvajalca:

SIHP11N80E-BE3

Product Overview

Proizvajalec:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Številka dela:

SIHP11N80E-BE3-DG

Opis:

N-CHANNEL 800V
Podroben opis:
N-Channel 800 V 12A (Tc) 179W (Tc) Through Hole TO-220AB

Zaloga:

876 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12977898
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
CFFE
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

SIHP11N80E-BE3 Tehnične specifikacije

Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Vishay
Pakiranje
Tube
Serije
E
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
800 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
12A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
440mOhm @ 5.5A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
88 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1670 pF @ 100 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
179W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-220AB
Paket / Primer
TO-220-3

Tehnični list in dokumenti

Podatkovni listi
SIHP11N80E

Dodatne informacije

Druga imena
742-SIHP11N80E-BE3TR-DG
742-SIHP11N80E-BE3TR
742-SIHP11N80E-BE3CTINACTIVE
742-SIHP11N80E-BE3
742-SIHP11N80E-BE3DKRINACTIVE
Standardni paket
50

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Sorodni izdelki
vishay-siliconix

SIRC16DP-T1-RE3

N-CHANNEL 25-V (D-S) MOSFET W/SC

vishay-siliconix

SIHL620STRL-GE3

LOGIC MOSFET N-CHANNEL 200V

vishay-siliconix

SIHB30N60ET5-GE3

N-CHANNEL 600V

vishay-siliconix

IRFR220TRPBF-BE3

N-CHANNEL 200V