Številka izdelka proizvajalca:
SIHP25N40D-E3
Product Overview
Proizvajalec:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Številka dela:
SIHP25N40D-E3-DG
Opis:
MOSFET N-CH 400V 25A TO220AB
Podroben opis:
N-Channel 400 V 25A (Tc) 278W (Tc) Through Hole TO-220AB
Zaloga:
986 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12920943
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
SIHP25N40D-E3 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Vishay
Pakiranje
Tube
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
400 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
25A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
170mOhm @ 13A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
5V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
88 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1707 pF @ 100 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
278W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-220AB
Paket / Primer
TO-220-3
Osnovna številka izdelka
SIHP25
Tehnični list in dokumenti
HTML tehnični list
Tehnični listi
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
SIHP25N40D-E3DKRINACTIVE
SIHP25N40D-E3CT
SIHP25N40D-E3TR-DG
SIHP25N40D-E3TR
SIHP25N40D-E3DKR
SIHP25N40D-E3CT-DG
SIHP25N40D-E3DKR-DG
SIHP25N40D-E3TRINACTIVE
Standardni paket
50
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
SISA01DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 22.4A/60A PPAK
SIR668DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 100V 95A PPAK SO-8
TPN7R006PL,L1Q
MOSFET N-CH 60V 54A 8TSON