Številka izdelka proizvajalca:
SIR404DP-T1-GE3
Product Overview
Proizvajalec:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Številka dela:
SIR404DP-T1-GE3-DG
Opis:
MOSFET N-CH 20V 60A PPAK SO-8
Podroben opis:
N-Channel 20 V 60A (Tc) 6.25W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Zaloga:
28137 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12786023
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
SIR404DP-T1-GE3 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Vishay
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
TrenchFET®
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
20 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
60A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
2.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
1.6mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
1.5V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
97 nC @ 4.5 V
Vgs (maks)
±12V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
8130 pF @ 10 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
6.25W (Ta), 104W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PowerPAK® SO-8
Paket / Primer
PowerPAK® SO-8
Osnovna številka izdelka
SIR404
Tehnični list in dokumenti
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Druga imena
SIR404DP-T1-GE3TR
SIR404DPT1GE3
SIR404DP-T1-GE3CT
SIR404DP-T1-GE3DKR
Standardni paket
3,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
SIA443DJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC70-6
SIRA50ADP-T1-RE3
MOSFET N-CH 40V 54.8A/219A PPAK
SQJA94EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 80V 46A PPAK SO-8
