Številka izdelka proizvajalca:
SIR414DP-T1-GE3
Product Overview
Proizvajalec:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Številka dela:
SIR414DP-T1-GE3-DG
Opis:
MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8
Podroben opis:
N-Channel 40 V 50A (Tc) 5.4W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Zaloga:
8605 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12919236
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
SIR414DP-T1-GE3 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Vishay
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
TrenchFET®
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
40 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
50A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
2.8mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.5V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
117 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
4750 pF @ 20 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
5.4W (Ta), 83W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PowerPAK® SO-8
Paket / Primer
PowerPAK® SO-8
Osnovna številka izdelka
SIR414
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
SIR414DP-T1-GE3TR
SIR414DP-T1-GE3CT
SIR414DPT1GE3
SIR414DP-T1-GE3DKR
Standardni paket
3,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
SIJ482DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
PMPB43XPE,115
MOSFET P-CH 20V 5A DFN2020MD-6
SI7636DP-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 17A PPAK SO-8
