SIR632DP-T1-RE3
Številka izdelka proizvajalca:

SIR632DP-T1-RE3

Product Overview

Proizvajalec:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Številka dela:

SIR632DP-T1-RE3-DG

Opis:

MOSFET N-CH 150V 29A PPAK SO-8
Podroben opis:
N-Channel 150 V 29A (Tc) 69.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

Zaloga:

1096 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12786367
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

SIR632DP-T1-RE3 Tehnične specifikacije

Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Vishay
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
ThunderFET®
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
150 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
29A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
7.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
34.5mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
17 nC @ 7.5 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
740 pF @ 75 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
69.5W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PowerPAK® SO-8
Paket / Primer
PowerPAK® SO-8
Osnovna številka izdelka
SIR632

Tehnični list in dokumenti

Podatkovni listi
HTML tehnični list
Tehnični listi

Dodatne informacije

Druga imena
SIR632DP-T1-RE3TR
SIR632DP-T1-RE3CT
SIR632DP-T1-RE3DKR
Standardni paket
3,000

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternativni modeli

ŠTEVILO DELA
QH8KA4TCR
PROIZVAJALEC
Rohm Semiconductor
KOLIČINA NA VOLJO
18377
ŠTEVILKA DELA
QH8KA4TCR-DG
CENA ENOTE
0.37
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
ŠTEVILO DELA
RS6R060BHTB1
PROIZVAJALEC
Rohm Semiconductor
KOLIČINA NA VOLJO
4875
ŠTEVILKA DELA
RS6R060BHTB1-DG
CENA ENOTE
1.40
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
vishay-siliconix

SQM40P10-40L_GE3

MOSFET P-CH 100V 40A TO263

vishay-siliconix

SIHG17N60D-GE3

MOSFET N-CH 600V 17A TO247AC

vishay-siliconix

SIR820DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SUM110N08-07P-E3

MOSFET N-CH 75V 110A TO263