Domov
Izdelki
Proizvajalci
O DiGi
Kontaktirajte nas
Blogi in objave
Povpraševanje/Offer
Slovenia
Prijavite se
Izbira jezika
Trenutni jezik vašega izbora:
Slovenia
Preklopi:
Angleščina
Evropa
Velika Britanija
Francija
Španija
Turčija
Moldavija
Litva
Norveška
Nemčija
Portugalska
Slovaška
ltaly
Finska
Ruščina
Bolgarija
Danska
Estonija
Poljska
Ukrajina
Slovenija
Češčina
Grščina
Hrvaška
Izrael
Srbija
Belorusija
Nizozemska
Švedska
Črna gora
Baskovščina
Islandija
Bosna
Madžarščina
Romunija
Avstrija
Belgija
Irska
Azija / Pacifik
Kitajska
Vietnam
Indonezija
Tajska
Laos
Filipinščina
Malezija
Koreja
Japonska
Hongkong
Tajvan
Singapur
Pakistan
Saudska Arabija
Katar
Kuvajt
Kambodža
Mjanmar
Afrika, Indija in Bližnji vzhod
Združeni arabski emirati
Tadžikistan
Madagaskar
Indija
Iran
DR Kongo
Južna Afrika
Egipt
Kenija
Tanzanija
Gana
Senegal
Maroko
Tunizija
Južna Amerika / Oceanija
Nova Zelandija
Angola
Brazilija
Mozambik
Peru
Kolumbija
Čile
Venezuela
Ekvador
Bolivija
Urugvaj
Argentina
Paragvaj
Avstralija
Severna Amerika
Združene države Amerike
Haiti
Kanada
Kostarika
Mehika
O DiGi
O nas
O nas
Naše certifikate
DiGi Uvod
Zakaj DiGi
Politika
Politika kakovosti
Pogoji uporabe
Skladnost z direktivo RoHS
Postopek vračila
Viri
Kategorije izdelkov
Proizvajalci
Blogi in objave
Storitve
Garancija kakovosti
Način Plačila
Globalna pošiljka
Cene pošiljanja
Pogosta vprašanja
Številka izdelka proizvajalca:
SIR662DP-T1-GE3
Product Overview
Proizvajalec:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Številka dela:
SIR662DP-T1-GE3-DG
Opis:
MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
Podroben opis:
N-Channel 60 V 60A (Tc) 6.25W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Zaloga:
Povpraševanje po cenah na spletu
12920197
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
*
Podjetje
*
Ime kontaktne osebe
*
Telefon
*
E-pošta
Naslov za dostavo
Sporočilo
(
*
) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
SIR662DP-T1-GE3 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Vishay
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
TrenchFET®
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
60 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
60A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
2.7mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.5V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
96 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
4365 pF @ 30 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
6.25W (Ta), 104W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PowerPAK® SO-8
Paket / Primer
PowerPAK® SO-8
Osnovna številka izdelka
SIR662
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
SIR662DP
HTML tehnični list
SIR662DP-T1-GE3-DG
Risbe izdelkov
PowerPak SO-8 Drawing
Tehnični listi
SIR662DP-T1-GE3
Dodatne informacije
Druga imena
SIR662DPDKR
SIR662DPDKR-DG
SIR662DP-T1-GE3CT
SIR662DPT1GE3
SIR662DPCT
SIR662DP
SIR662DPTR
SIR662DP-T1-GE3DKR
SIR662DP-T1-GE3TR
SIR662DPTR-DG
SIR662DPCT-DG
Standardni paket
3,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
RS3L045GNGZETB
PROIZVAJALEC
Rohm Semiconductor
KOLIČINA NA VOLJO
1173
ŠTEVILKA DELA
RS3L045GNGZETB-DG
CENA ENOTE
0.25
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
ŠTEVILO DELA
TPH7R006PL,L1Q
PROIZVAJALEC
Toshiba Semiconductor and Storage
KOLIČINA NA VOLJO
54092
ŠTEVILKA DELA
TPH7R006PL,L1Q-DG
CENA ENOTE
0.25
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
ŠTEVILO DELA
RS1L145GNTB
PROIZVAJALEC
Rohm Semiconductor
KOLIČINA NA VOLJO
1003
ŠTEVILKA DELA
RS1L145GNTB-DG
CENA ENOTE
0.81
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
SQJA86EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-8
PMBF170,235
MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB
SI5449DC-T1-E3
MOSFET P-CH 30V 3.1A 1206-8
SQ4064EY-T1_GE3
MOSFET N-CHANNEL 60V 12A 8SOIC