SIR662DP-T1-GE3
Številka izdelka proizvajalca:

SIR662DP-T1-GE3

Product Overview

Proizvajalec:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Številka dela:

SIR662DP-T1-GE3-DG

Opis:

MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
Podroben opis:
N-Channel 60 V 60A (Tc) 6.25W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

Zaloga:

12920197
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

SIR662DP-T1-GE3 Tehnične specifikacije

Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Vishay
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
TrenchFET®
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
60 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
60A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
2.7mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.5V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
96 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
4365 pF @ 30 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
6.25W (Ta), 104W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PowerPAK® SO-8
Paket / Primer
PowerPAK® SO-8
Osnovna številka izdelka
SIR662

Tehnični list in dokumenti

Podatkovni listi
HTML tehnični list
Risbe izdelkov
Tehnični listi

Dodatne informacije

Druga imena
SIR662DPDKR
SIR662DPDKR-DG
SIR662DP-T1-GE3CT
SIR662DPT1GE3
SIR662DPCT
SIR662DP
SIR662DPTR
SIR662DP-T1-GE3DKR
SIR662DP-T1-GE3TR
SIR662DPTR-DG
SIR662DPCT-DG
Standardni paket
3,000

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternativni modeli

ŠTEVILO DELA
RS3L045GNGZETB
PROIZVAJALEC
Rohm Semiconductor
KOLIČINA NA VOLJO
1173
ŠTEVILKA DELA
RS3L045GNGZETB-DG
CENA ENOTE
0.25
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
ŠTEVILO DELA
TPH7R006PL,L1Q
PROIZVAJALEC
Toshiba Semiconductor and Storage
KOLIČINA NA VOLJO
54092
ŠTEVILKA DELA
TPH7R006PL,L1Q-DG
CENA ENOTE
0.25
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
ŠTEVILO DELA
RS1L145GNTB
PROIZVAJALEC
Rohm Semiconductor
KOLIČINA NA VOLJO
1003
ŠTEVILKA DELA
RS1L145GNTB-DG
CENA ENOTE
0.81
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
vishay-siliconix

SQJA86EP-T1_GE3

MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-8

nexperia

PMBF170,235

MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB

vishay-siliconix

SI5449DC-T1-E3

MOSFET P-CH 30V 3.1A 1206-8

vishay-siliconix

SQ4064EY-T1_GE3

MOSFET N-CHANNEL 60V 12A 8SOIC