Domov
Izdelki
Proizvajalci
O DiGi
Kontaktirajte nas
Blogi in objave
Povpraševanje/Offer
Slovenia
Prijavite se
Izbira jezika
Trenutni jezik vašega izbora:
Slovenia
Preklopi:
Angleščina
Evropa
Velika Britanija
Francija
Španija
Turčija
Moldavija
Litva
Norveška
Nemčija
Portugalska
Slovaška
ltaly
Finska
Ruščina
Bolgarija
Danska
Estonija
Poljska
Ukrajina
Slovenija
Češčina
Grščina
Hrvaška
Izrael
Srbija
Belorusija
Nizozemska
Švedska
Črna gora
Baskovščina
Islandija
Bosna
Madžarščina
Romunija
Avstrija
Belgija
Irska
Azija / Pacifik
Kitajska
Vietnam
Indonezija
Tajska
Laos
Filipinščina
Malezija
Koreja
Japonska
Hongkong
Tajvan
Singapur
Pakistan
Saudska Arabija
Katar
Kuvajt
Kambodža
Mjanmar
Afrika, Indija in Bližnji vzhod
Združeni arabski emirati
Tadžikistan
Madagaskar
Indija
Iran
DR Kongo
Južna Afrika
Egipt
Kenija
Tanzanija
Gana
Senegal
Maroko
Tunizija
Južna Amerika / Oceanija
Nova Zelandija
Angola
Brazilija
Mozambik
Peru
Kolumbija
Čile
Venezuela
Ekvador
Bolivija
Urugvaj
Argentina
Paragvaj
Avstralija
Severna Amerika
Združene države Amerike
Haiti
Kanada
Kostarika
Mehika
O DiGi
O nas
O nas
Naše certifikate
DiGi Uvod
Zakaj DiGi
Politika
Politika kakovosti
Pogoji uporabe
Skladnost z direktivo RoHS
Postopek vračila
Viri
Kategorije izdelkov
Proizvajalci
Blogi in objave
Storitve
Garancija kakovosti
Način Plačila
Globalna pošiljka
Cene pošiljanja
Pogosta vprašanja
Številka izdelka proizvajalca:
SIR864DP-T1-GE3
Product Overview
Proizvajalec:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Številka dela:
SIR864DP-T1-GE3-DG
Opis:
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
Podroben opis:
N-Channel 30 V 40A (Tc) 5W (Ta), 54W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Zaloga:
Povpraševanje po cenah na spletu
12917768
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
*
Podjetje
*
Ime kontaktne osebe
*
Telefon
*
E-pošta
Naslov za dostavo
Sporočilo
(
*
) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
SIR864DP-T1-GE3 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Vishay
Pakiranje
-
Serije
TrenchFET®
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
30 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
40A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
3.6mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.4V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
65 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
2460 pF @ 15 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
5W (Ta), 54W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PowerPAK® SO-8
Paket / Primer
PowerPAK® SO-8
Osnovna številka izdelka
SIR864
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
SIR864DP-T1-GE3
HTML tehnični list
SIR864DP-T1-GE3-DG
Tehnični listi
SIR864DP-T1-GE3
Dodatne informacije
Druga imena
SIR864DP-T1-GE3DKR
SIR864DP-T1-GE3-DG
SIR864DP-T1-GE3TR
SIR864DP-T1-GE3CT
Standardni paket
3,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
CSD17501Q5A
PROIZVAJALEC
Texas Instruments
KOLIČINA NA VOLJO
6998
ŠTEVILKA DELA
CSD17501Q5A-DG
CENA ENOTE
0.76
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
ŠTEVILO DELA
CSD17306Q5A
PROIZVAJALEC
Texas Instruments
KOLIČINA NA VOLJO
5251
ŠTEVILKA DELA
CSD17306Q5A-DG
CENA ENOTE
0.45
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
ŠTEVILO DELA
RS1E240BNTB
PROIZVAJALEC
Rohm Semiconductor
KOLIČINA NA VOLJO
2500
ŠTEVILKA DELA
RS1E240BNTB-DG
CENA ENOTE
0.22
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
ŠTEVILO DELA
CSD17301Q5A
PROIZVAJALEC
Texas Instruments
KOLIČINA NA VOLJO
13376
ŠTEVILKA DELA
CSD17301Q5A-DG
CENA ENOTE
0.62
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
ŠTEVILO DELA
CSD17305Q5A
PROIZVAJALEC
Texas Instruments
KOLIČINA NA VOLJO
0
ŠTEVILKA DELA
CSD17305Q5A-DG
CENA ENOTE
0.53
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
SIS447DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 18A PPAK1212-8
SI2333DS-T1-E3
MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3
SI7625DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 35A PPAK1212-8
SIRA96DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 16A PPAK SO-8