Številka izdelka proizvajalca:
SIR890DP-T1-GE3
Product Overview
Proizvajalec:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Številka dela:
SIR890DP-T1-GE3-DG
Opis:
MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8
Podroben opis:
N-Channel 20 V 50A (Tc) 5W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Zaloga:
12919296
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
SIR890DP-T1-GE3 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Vishay
Pakiranje
-
Serije
TrenchFET®
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
20 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
50A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
2.9mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.6V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
2747 pF @ 10 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
5W (Ta), 50W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PowerPAK® SO-8
Paket / Primer
PowerPAK® SO-8
Osnovna številka izdelka
SIR890
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
SIR890DP-T1-GE3DKR
SIR890DP-T1-GE3TR
SIR890DPT1GE3
SIR890DP-T1-GE3CT
2266-SIR890DP-T1-GE3
Standardni paket
3,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
SIHP12N60E-E3
MOSFET N-CH 600V 12A TO220AB
SIHF22N60E-E3
MOSFET N-CH 600V 21A TO220
SI5468DC-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 6A 1206-8
