SIRC16DP-T1-GE3
Številka izdelka proizvajalca:

SIRC16DP-T1-GE3

Product Overview

Proizvajalec:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Številka dela:

SIRC16DP-T1-GE3-DG

Opis:

MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8
Podroben opis:
N-Channel 25 V 60A (Tc) 54.3W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

Zaloga:

2262 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12954482
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

SIRC16DP-T1-GE3 Tehnične specifikacije

Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Vishay
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
TrenchFET® Gen IV
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
25 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
60A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
0.96mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.4V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
48 nC @ 4.5 V
Vgs (maks)
+20V, -16V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
5150 pF @ 10 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
54.3W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PowerPAK® SO-8
Paket / Primer
PowerPAK® SO-8
Osnovna številka izdelka
SIRC16

Tehnični list in dokumenti

Podatkovni listi
HTML tehnični list
Tehnični listi

Dodatne informacije

Druga imena
SIRC16DP-T1-GE3TR
SIRC16DP-T1-GE3CT
SIRC16DP-T1-GE3DKR
Standardni paket
3,000

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternativni modeli

ŠTEVILO DELA
RS1E350BNTB
PROIZVAJALEC
Rohm Semiconductor
KOLIČINA NA VOLJO
810
ŠTEVILKA DELA
RS1E350BNTB-DG
CENA ENOTE
0.65
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
ŠTEVILO DELA
RS1E321GNTB1
PROIZVAJALEC
Rohm Semiconductor
KOLIČINA NA VOLJO
4800
ŠTEVILKA DELA
RS1E321GNTB1-DG
CENA ENOTE
0.91
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
ŠTEVILO DELA
RS1E280BNTB
PROIZVAJALEC
Rohm Semiconductor
KOLIČINA NA VOLJO
35014
ŠTEVILKA DELA
RS1E280BNTB-DG
CENA ENOTE
0.27
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
ŠTEVILO DELA
RS3E095BNGZETB
PROIZVAJALEC
Rohm Semiconductor
KOLIČINA NA VOLJO
2500
ŠTEVILKA DELA
RS3E095BNGZETB-DG
CENA ENOTE
0.29
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
stmicroelectronics

STP48N30M8

MOSFET N-CH 300V TO220

infineon-technologies

IRFC024NB

MOSFET 55V 17A DIE

onsemi

NTBGS3D5N06C

POWER MOSFET, 60 V, 3.7 M?, 127A

vishay-siliconix

IRF9610PBF-BE3

MOSFET P-CH 200V 1.8A TO220AB