SISA18DN-T1-GE3
Številka izdelka proizvajalca:

SISA18DN-T1-GE3

Product Overview

Proizvajalec:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Številka dela:

SISA18DN-T1-GE3-DG

Opis:

MOSFET N-CH 30V 38.3A PPAK1212-8
Podroben opis:
N-Channel 30 V 38.3A (Tc) 3.2W (Ta), 19.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8

Zaloga:

Povpraševanje po cenah na spletu
12787295
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

SISA18DN-T1-GE3 Tehnične specifikacije

Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Vishay
Pakiranje
-
Serije
TrenchFET®
Stanje izdelka
Discontinued at Digi-Key
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
30 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
38.3A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
7.5mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.4V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
21.5 nC @ 10 V
Vgs (maks)
+20V, -16V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1000 pF @ 15 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PowerPAK® 1212-8
Paket / Primer
PowerPAK® 1212-8
Osnovna številka izdelka
SISA18

Dodatne informacije

Druga imena
SISA18DNT1GE3
SISA18DN-T1-GE3CT
SISA18DN-T1-GE3TR
SISA18DN-T1-GE3DKR
Standardni paket
3,000

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternativni modeli

ŠTEVILO DELA
RQ3E130BNTB
PROIZVAJALEC
Rohm Semiconductor
KOLIČINA NA VOLJO
1954
ŠTEVILKA DELA
RQ3E130BNTB-DG
CENA ENOTE
0.15
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
ŠTEVILO DELA
CSD17578Q3A
PROIZVAJALEC
Texas Instruments
KOLIČINA NA VOLJO
24950
ŠTEVILKA DELA
CSD17578Q3A-DG
CENA ENOTE
0.18
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
ŠTEVILO DELA
SISA18ADN-T1-GE3
PROIZVAJALEC
Vishay Siliconix
KOLIČINA NA VOLJO
14471
ŠTEVILKA DELA
SISA18ADN-T1-GE3-DG
CENA ENOTE
0.17
VRSTA NADOMESTILA
Parametric Equivalent
ŠTEVILO DELA
CSD17578Q3AT
PROIZVAJALEC
Texas Instruments
KOLIČINA NA VOLJO
1956
ŠTEVILKA DELA
CSD17578Q3AT-DG
CENA ENOTE
0.46
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
DIGI Certifikat
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Sorodni izdelki
vishay-siliconix

SIHD5N50D-E3

MOSFET N-CH 500V 5.3A DPAK

vishay-siliconix

SQD15N06-42L_GE3

MOSFET N-CH 60V 15A TO252

vishay-siliconix

SIA432DJ-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6

vishay-siliconix

SQM40N15-38_GE3

MOSFET N-CH 150V 40A TO263