Številka izdelka proizvajalca:
SISA26DN-T1-GE3
Product Overview
Proizvajalec:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Številka dela:
SISA26DN-T1-GE3-DG
Opis:
MOSFET N-CH 25V 60A PPAK1212-8S
Podroben opis:
N-Channel 25 V 60A (Tc) 39W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Zaloga:
5682 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12787010
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
SISA26DN-T1-GE3 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Vishay
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
TrenchFET® Gen IV
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
25 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
60A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
2.65mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.5V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
44 nC @ 10 V
Vgs (maks)
+16V, -12V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
2247 pF @ 10 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
39W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PowerPAK® 1212-8
Paket / Primer
PowerPAK® 1212-8
Osnovna številka izdelka
SISA26
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
SISA26DN-T1-GE3TR
SISA26DN-T1-GE3DKR
SISA26DN-T1-GE3CT
Standardni paket
3,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
SIE882DF-T1-GE3
MOSFET N-CH 25V 60A 10POLARPAK
SIHG40N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 40A TO247AC
SIHH100N60E-T1-GE3
MOSFET N-CH 600V 28A PPAK 8 X 8
