Številka izdelka proizvajalca:
SISHA12ADN-T1-GE3
Product Overview
Proizvajalec:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Številka dela:
SISHA12ADN-T1-GE3-DG
Opis:
MOSFET N-CH 30V 22A/25A PPAK
Podroben opis:
N-Channel 30 V 22A (Ta), 25A (Tc) 3.5W (Ta), 28W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8SH
Zaloga:
5998 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12920486
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
SISHA12ADN-T1-GE3 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Vishay
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
TrenchFET® Gen IV
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
30 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
22A (Ta), 25A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
4.3mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.2V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (maks)
+20V, -16V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
2070 pF @ 15 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
3.5W (Ta), 28W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PowerPAK® 1212-8SH
Paket / Primer
PowerPAK® 1212-8SH
Osnovna številka izdelka
SISHA12
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Druga imena
SISHA12ADN-T1-GE3CT
SISHA12ADN-T1-GE3TR
SISHA12ADN-T1-GE3DKR
2266-SISHA12ADN-T1-GE3TR
Standardni paket
3,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
SISH114ADN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 18A/35A PPAK
SQJA68EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 100V 14A PPAK SO-8L
SQ9407EY-T1_GE3
MOSFET P-CHANNEL 60V 4.6A 8SO
