Številka izdelka proizvajalca:
SISS67DN-T1-GE3
Product Overview
Proizvajalec:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Številka dela:
SISS67DN-T1-GE3-DG
Opis:
MOSFET P-CH 30V 60A PPAK1212-8S
Podroben opis:
P-Channel 30 V 60A (Tc) 65.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S
Zaloga:
115 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12920425
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
mQ5e
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
SISS67DN-T1-GE3 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Vishay
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
TrenchFET® Gen III
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
P-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
30 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
60A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
5.5mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.5V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
111 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±25V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
4380 pF @ 15 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
65.8W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PowerPAK® 1212-8S
Paket / Primer
PowerPAK® 1212-8S
Osnovna številka izdelka
SISS67
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Druga imena
SISS67DN-T1-GE3CT
SISS67DN-T1-GE3TR
SISS67DN-T1-GE3DKR
Standardni paket
3,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
SUP40P10-43-GE3
MOSFET P-CH 100V 36A TO220AB
SUD23N06-31L-E3
MOSFET N-CH 60V TO252
SQM50P03-07_GE3
MOSFET P-CHANNEL 30V 50A TO263
