Številka izdelka proizvajalca:
SIZ902DT-T1-GE3
Product Overview
Proizvajalec:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Številka dela:
SIZ902DT-T1-GE3-DG
Opis:
MOSFET 2N-CH 30V 16A 8POWERPAIR
Podroben opis:
Mosfet Array 30V 16A 29W, 66W Surface Mount 8-PowerPair® (6x5)
Zaloga:
2922 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12787660
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
SIZ902DT-T1-GE3 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, FET, MOSFET nizi
Proizvajalec
Vishay
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
TrenchFET®
Stanje izdelka
Active
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguracijo
2 N-Channel (Half Bridge)
Funkcija FET
Logic Level Gate
Odtok do napetosti vira (vdss)
30V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
16A
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
12mOhm @ 13.8A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.2V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
21nC @ 10V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
790pF @ 15V
Moč - največja
29W, 66W
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket / Primer
8-PowerWDFN
Paket naprav dobavitelja
8-PowerPair® (6x5)
Osnovna številka izdelka
SIZ902
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
SIZ902DT-T1-GE3DKR
SIZ902DT-T1-GE3TR
SIZ902DT-T1-GE3CT
SIZ902DTT1GE3
Standardni paket
3,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
SIZ988DT-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 40A 8PWRPAIR
SQJQ904E-T1_GE3
MOSFET 2N-CH 40V 100A PPAK8X8
SIZF906ADT-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 27A 8POWERPAIR
