Številka izdelka proizvajalca:
SQ2362ES-T1_GE3
Product Overview
Proizvajalec:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Številka dela:
SQ2362ES-T1_GE3-DG
Opis:
MOSFET N-CH 60V 4.3A SOT23-3
Podroben opis:
N-Channel 60 V 4.3A (Tc) 3W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Zaloga:
14908 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12919821
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
SQ2362ES-T1_GE3 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Vishay
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
TrenchFET®
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
60 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
4.3A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
95mOhm @ 4.5A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.5V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
550 pF @ 30 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
3W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Razred
Automotive
Kvalifikacija
AEC-Q101
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
SOT-23-3 (TO-236)
Paket / Primer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Osnovna številka izdelka
SQ2362
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
SQ2362ES-T1-GE3
SQ2362ES-T1_GE3-DG
SQ2362ES-T1_GE3CT
SQ2362ES-T1_GE3TR
SQ2362ES-T1_GE3DKR
Standardni paket
3,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
SI7804DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 6.5A PPAK1212-8
SQP120N06-6M7_GE3
MOSFET N-CH 60V TO220AB
SUD19P06-60-GE3
MOSFET P-CH 60V 18.3A TO252
