SQ9407EY-T1_BE3
Številka izdelka proizvajalca:

SQ9407EY-T1_BE3

Product Overview

Proizvajalec:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Številka dela:

SQ9407EY-T1_BE3-DG

Opis:

MOSFET P-CH 60V 4.6A 8SOIC
Podroben opis:
P-Channel 60 V 4.6A (Tc) 3.75W (Tc) Surface Mount 8-SOIC

Zaloga:

12512 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12939395
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
D9NE
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

SQ9407EY-T1_BE3 Tehnične specifikacije

Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Vishay
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
TrenchFET®
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
P-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
60 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
4.6A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
85mOhm @ 3.5A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.5V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1140 pF @ 30 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
3.75W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Razred
Automotive
Kvalifikacija
AEC-Q101
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
8-SOIC
Paket / Primer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Osnovna številka izdelka
SQ9407

Tehnični list in dokumenti

Podatkovni listi
HTML tehnični list
Tehnični listi

Dodatne informacije

Druga imena
742-SQ9407EY-T1_BE3TR
742-SQ9407EY-T1_BE3DKR
742-SQ9407EY-T1_BE3CT
Standardni paket
2,500

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
vishay-siliconix

SQ2303ES-T1_BE3

MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3

vishay-siliconix

IRFBC20PBF-BE3

MOSFET N-CH 600V 2.2A TO220AB

vishay-siliconix

SQ2301ES-T1_BE3

MOSFET P-CH 20V 3.9A SOT23-3

vishay-siliconix

IRF740APBF-BE3

MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB