SQA410CEJW-T1_GE3
Številka izdelka proizvajalca:

SQA410CEJW-T1_GE3

Product Overview

Proizvajalec:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Številka dela:

SQA410CEJW-T1_GE3-DG

Opis:

AUTOMOTIVE N-CHANNEL 20 V (D-S)
Podroben opis:
N-Channel 20 V 7.8A (Tc) 13.6W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual

Zaloga:

8903 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12968170
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

SQA410CEJW-T1_GE3 Tehnične specifikacije

Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Vishay
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
TrenchFET®
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
20 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
7.8A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
1.8V, 4.5V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
28mOhm @ 5A, 4.5V
vgs(th) (maks) @ id
1.1V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
8 nC @ 4.5 V
Vgs (maks)
±8V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
525 pF @ 10 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
13.6W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Paket / Primer
PowerPAK® SC-70-6 Dual

Tehnični list in dokumenti

Dodatne informacije

Druga imena
742-SQA410CEJW-T1_GE3TR
Standardni paket
3,000

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
fairchild-semiconductor

NTNS4CS69NTCG

NTNS4CS69NTCG - TRENCH 6 30V NFE

infineon-technologies

ISC080N10NM6ATMA1

TRENCH >=100V PG-TDSON-8

infineon-technologies

ISP20EP10LMXTSA1

SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT223-4

nxp-semiconductors

PMZ950UPEYL

NEXPERIA PMZ950UPE - 20V, P-CHAN