Številka izdelka proizvajalca:
SQD25N15-52_GE3
Product Overview
Proizvajalec:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Številka dela:
SQD25N15-52_GE3-DG
Opis:
MOSFET N-CH 150V 25A TO252
Podroben opis:
N-Channel 150 V 25A (Tc) 107W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Zaloga:
5704 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12918209
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
SQD25N15-52_GE3 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Vishay
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
TrenchFET®
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
150 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
25A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
52mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
51 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
2200 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
107W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Razred
Automotive
Kvalifikacija
AEC-Q101
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
TO-252AA
Paket / Primer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Osnovna številka izdelka
SQD25
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
SQD25N15-52-GE3-DG
SQD25N15-52_GE3TR
SQD25N15-52_GE3DKR
SQD25N15-52-GE3
SQD25N15-52_GE3CT
SQD25N15-52_GE3-DG
Standardni paket
2,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
SUD35N05-26L-E3
MOSFET N-CH 55V 35A TO252
SIE804DF-T1-GE3
MOSFET N-CH 150V 37A 10POLARPAK
SQD25N06-22L_GE3
MOSFET N-CH 60V 25A TO252
