Številka izdelka proizvajalca:
SQD50N05-11L_GE3
Product Overview
Proizvajalec:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Številka dela:
SQD50N05-11L_GE3-DG
Opis:
MOSFET N-CH 50V 50A TO252AA
Podroben opis:
N-Channel 50 V 50A (Tc) 75W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Zaloga:
12786063
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
SQD50N05-11L_GE3 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Vishay
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
TrenchFET®
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
50 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
50A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
11mOhm @ 45A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.5V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
52 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
2106 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
75W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
TO-252AA
Paket / Primer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Osnovna številka izdelka
SQD50
Tehnični list in dokumenti
HTML tehnični list
Tehnični listi
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
SQD50N05-11L_GE3CT
SQD50N05-11L_GE3-DG
SQD50N05-11L-GE3-DG
SQD50N05-11L_GE3DKR
SQD50N05-11L-GE3
SQD50N05-11L_GE3TR
Standardni paket
2,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
FDD8647L
PROIZVAJALEC
onsemi
KOLIČINA NA VOLJO
5438
ŠTEVILKA DELA
FDD8647L-DG
CENA ENOTE
0.47
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
SIRA12DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 25A PPAK SO-8
SIR638DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 40V 100A PPAK SO-8
SIHG16N50C-E3
MOSFET N-CH 500V 16A TO247AC
