Številka izdelka proizvajalca:
SQJ136ELP-T1_GE3
Product Overview
Proizvajalec:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Številka dela:
SQJ136ELP-T1_GE3-DG
Opis:
MOSFET N-CH 40V 350A PPAK SO-8
Podroben opis:
N-Channel 40 V 350A (Tc) 500W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Zaloga:
2126 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12948271
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
SQJ136ELP-T1_GE3 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Vishay
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
TrenchFET® Gen IV
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
40 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
350A (Tc)
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
1.12mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.2V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
150 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
8015 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
500W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Razred
Automotive
Kvalifikacija
AEC-Q101
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PowerPAK® SO-8
Paket / Primer
PowerPAK® SO-8
Osnovna številka izdelka
SQJ136
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
742-SQJ136ELP-T1_GE3CT
742-SQJ136ELP-T1_GE3TR
742-SQJ136ELP-T1_GE3DKR
Standardni paket
3,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
STP7NM80
MOSFET N-CH 800V 6.5A TO220-3
BS250PSTZ
MOSFET P-CH 45V 230MA E-LINE
STF60N55F3
MOSFET N-CH 55V 42A TO220FP
