Številka izdelka proizvajalca:
SQJ142ELP-T1_GE3
Product Overview
Proizvajalec:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Številka dela:
SQJ142ELP-T1_GE3-DG
Opis:
MOSFET N-CH 40V 175A PPAK SO-8
Podroben opis:
N-Channel 40 V 175A (Tc) 190W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Zaloga:
2626 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12977911
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
SQJ142ELP-T1_GE3 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Vishay
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
TrenchFET®
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
40 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
175A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
2.8mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.2V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
55 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
3015 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
190W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Razred
Automotive
Kvalifikacija
AEC-Q101
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PowerPAK® SO-8
Paket / Primer
PowerPAK® SO-8
Osnovna številka izdelka
SQJ142
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
742-SQJ142ELP-T1_GE3DKR
742-SQJ142ELP-T1_GE3CT
742-SQJ142ELP-T1_GE3TR
Standardni paket
3,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
G3R160MT17D
SIC MOSFET N-CH 21A TO247-3
MCG50P03-TP
P-CHANNEL MOSFET,DFN3333
SI1416EDH-T1-BE3
MOSFET N-CH 30V 3.9A/3.9A SC70-6
