Številka izdelka proizvajalca:
SQJ164ELP-T1_GE3
Product Overview
Proizvajalec:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Številka dela:
SQJ164ELP-T1_GE3-DG
Opis:
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Podroben opis:
N-Channel 60 V 75A (Tc) 187W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Zaloga:
6000 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12992522
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
SQJ164ELP-T1_GE3 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Vishay
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
TrenchFET® Gen IV
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
60 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
75A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
12mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.5V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
57 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
3100 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
187W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Razred
Automotive
Kvalifikacija
AEC-Q101
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PowerPAK® SO-8
Paket / Primer
PowerPAK® SO-8
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
742-SQJ164ELP-T1_GE3TR
Standardni paket
3,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
GT110N06D5
N60V, 45A,RD<11M@10V,VTH1.0V~2.4
MCU20N06B-TP
MOSFET N-CH 60VDS 20VGS 20A 4.1N
TPHR9003NL1,LQ
UMOS9 SOP-ADV(N) PD=78W F=1MHZ
