Številka izdelka proizvajalca:
SQJ414EP-T1_GE3
Product Overview
Proizvajalec:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Številka dela:
SQJ414EP-T1_GE3-DG
Opis:
MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8
Podroben opis:
N-Channel 30 V 30A (Tc) 45W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Zaloga:
12918457
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
SQJ414EP-T1_GE3 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Vishay
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
TrenchFET®
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
30 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
30A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
12mOhm @ 4.5A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.5V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1110 pF @ 15 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
45W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Razred
Automotive
Kvalifikacija
AEC-Q101
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PowerPAK® SO-8
Paket / Primer
PowerPAK® SO-8
Osnovna številka izdelka
SQJ414
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
SQJ414EP-T1_GE3DKR
SQJ414EP-T1_GE3TR
SQJ414EP-T1_GE3CT
Standardni paket
3,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
SQJ414EP-T1_BE3
PROIZVAJALEC
Vishay Siliconix
KOLIČINA NA VOLJO
17929
ŠTEVILKA DELA
SQJ414EP-T1_BE3-DG
CENA ENOTE
0.28
VRSTA NADOMESTILA
Parametric Equivalent
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
SQJA80EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
SI4688DY-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 8.9A 8SO
BUK763R6-40C,118
MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK