Številka izdelka proizvajalca:
SQJA06EP-T1_GE3
Product Overview
Proizvajalec:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Številka dela:
SQJA06EP-T1_GE3-DG
Opis:
MOSFET N-CH 60V 57A PPAK SO-8
Podroben opis:
N-Channel 60 V 57A (Tc) 55W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Zaloga:
9000 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12787175
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
SQJA06EP-T1_GE3 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Vishay
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
TrenchFET®
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
60 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
57A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
8.7mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3.5V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
2800 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
55W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Razred
Automotive
Kvalifikacija
AEC-Q101
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PowerPAK® SO-8
Paket / Primer
PowerPAK® SO-8
Osnovna številka izdelka
SQJA06
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
SQJA06EP-T1_GE3DKR
SQJA06EP-T1_GE3TR
SQJA06EP-T1_GE3CT
Standardni paket
3,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
SIHD180N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 19A TO252AA
SUD50P04-08-GE3
MOSFET P-CH 40V 50A TO252
SIHD6N62ET1-GE3
MOSFET N-CH 620V 6A TO252AA
