Številka izdelka proizvajalca:
SQJQ112E-T1_GE3
Product Overview
Proizvajalec:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Številka dela:
SQJQ112E-T1_GE3-DG
Opis:
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 100 V (D-S)
Podroben opis:
N-Channel 100 V 296A (Tc) 600W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 8 x 8
Zaloga:
12965597
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
SQJQ112E-T1_GE3 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Vishay
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
TrenchFET® Gen IV
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
100 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
296A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
2.53mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3.5V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
272 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
15945 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
600W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Razred
Automotive
Kvalifikacija
AEC-Q101
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PowerPAK® 8 x 8
Paket / Primer
PowerPAK® 8 x 8
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
742-SQJQ112E-T1_GE3TR
742-SQJQ112E-T1_GE3DKR
Standardni paket
2,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
SIDR626LEP-T1-RE3
N-CHANNEL 60 V (D-S) 175C MOSFET
SIR182LDP-T1-RE3
N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET POWE
SIHA21N80AEF-GE3
EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST