Številka izdelka proizvajalca:
SQM40022E_GE3
Product Overview
Proizvajalec:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Številka dela:
SQM40022E_GE3-DG
Opis:
MOSFET N-CH 40V 150A TO263
Podroben opis:
N-Channel 40 V 150A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Zaloga:
800 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12787582
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
SQM40022E_GE3 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Vishay
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
TrenchFET®
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
40 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
150A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
1.63mOhm @ 35A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3.5V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
160 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
9200 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
150W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Razred
Automotive
Kvalifikacija
AEC-Q101
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
TO-263 (D2PAK)
Paket / Primer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Osnovna številka izdelka
SQM40022
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
742-SQM40022E_GE3CT
742-SQM40022E_GE3TR
SQM40022E_GE3TR
742-SQM40022E_GE3DKR
SQM40022E_GE3CT
SQM40022E_GE3DKR
SQM40022E_GE3CT-DG
SQM40022E_GE3TR-DG
SQM40022E_GE3DKR-DG
Standardni paket
800
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
SIHW47N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 47A TO247AD
SIHB33N60EF-GE3
MOSFET N-CH 600V 33A D2PAK
SIHG47N60AEF-GE3
MOSFET N-CH 600V 40A TO247AC
