Številka izdelka proizvajalca:
SQM90142E_GE3
Product Overview
Proizvajalec:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Številka dela:
SQM90142E_GE3-DG
Opis:
MOSFET N-CH 200V 95A TO263
Podroben opis:
N-Channel 200 V 95A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Zaloga:
12787136
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
QZdf
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
SQM90142E_GE3 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Vishay
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
TrenchFET®
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
200 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
95A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
15.3mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3.5V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
85 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
4200 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
375W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Razred
Automotive
Kvalifikacija
AEC-Q101
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
TO-263 (D2PAK)
Paket / Primer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Osnovna številka izdelka
SQM90142
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
SQM90142E_GE3CT
SQM90142E_GE3TR
SQM90142E_GE3DKR
Standardni paket
800
Okoljska in izvozna klasifikacija
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
IPB156N22NFDATMA1
PROIZVAJALEC
Infineon Technologies
KOLIČINA NA VOLJO
1051
ŠTEVILKA DELA
IPB156N22NFDATMA1-DG
CENA ENOTE
3.78
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
SIHB11N80E-GE3
MOSFET N-CH 800V 12A D2PAK
SUD50P04-40P-T4-E3
MOSFET P-CH 40V 6A/8A TO252
SUM52N20-39P-E3
MOSFET N-CH 200V 52A TO263
