SQP50N06-09L_GE3
Številka izdelka proizvajalca:

SQP50N06-09L_GE3

Product Overview

Proizvajalec:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Številka dela:

SQP50N06-09L_GE3-DG

Opis:

MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB
Podroben opis:
N-Channel 60 V 50A (Tc) 136W (Tc) Through Hole TO-220AB

Zaloga:

Povpraševanje po cenah na spletu
12920534
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

SQP50N06-09L_GE3 Tehnične specifikacije

Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Vishay
Pakiranje
-
Serije
TrenchFET®
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
60 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
50A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
9mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.5V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
72 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
3065 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
136W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Razred
Automotive
Kvalifikacija
AEC-Q101
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-220AB
Paket / Primer
TO-220-3
Osnovna številka izdelka
SQP50

Tehnični list in dokumenti

Podatkovni listi
SQP50N06-09L
HTML tehnični list
SQP50N06-09L_GE3-DG
Tehnični listi
SQP50N06-09L_GE3

Dodatne informacije

Druga imena
SQP50N06-09L_GE3DKRINACTIVE
SQP50N06-09L_GE3DKR
SQP50N06-09L_GE3CT-DG
742-SQP50N06-09L_GE3
SQP50N06-09L_GE3TR-DG
SQP50N06-09L_GE3-DG
SQP50N06-09L_GE3TR
SQP50N06-09L_GE3CTINACTIVE
SQP50N06-09L_GE3CT
SQP50N06-09L_GE3DKR-DG
Standardni paket
500

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternativni modeli

ŠTEVILO DELA
IRFB3607PBF
PROIZVAJALEC
Infineon Technologies
KOLIČINA NA VOLJO
3741
ŠTEVILKA DELA
IRFB3607PBF-DG
CENA ENOTE
0.41
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
ŠTEVILO DELA
IRF1018EPBF
PROIZVAJALEC
Infineon Technologies
KOLIČINA NA VOLJO
2798
ŠTEVILKA DELA
IRF1018EPBF-DG
CENA ENOTE
0.42
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
DIGI Certifikat
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Sorodni izdelki
vishay-siliconix

SISC06DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 27.6A/40A PPAK

vishay-siliconix

SIHH20N50E-T1-GE3

MOSFET N-CH 500V 22A PPAK 8 X 8

vishay-siliconix

SQM200N04-1M1L_GE3

MOSFET N-CH 40V 200A TO263-7

vishay-siliconix

SUP60N02-4M5P-E3

MOSFET N-CH 20V 60A TO220AB