Številka izdelka proizvajalca:
SQR50N04-3M8_GE3
Product Overview
Proizvajalec:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Številka dela:
SQR50N04-3M8_GE3-DG
Opis:
MOSFET N-CH 40V 50A DPAK
Podroben opis:
N-Channel 40 V 50A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount DPAK
Zaloga:
1857 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12915989
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
SQR50N04-3M8_GE3 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Vishay
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
TrenchFET®
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
40 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
50A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
3.8mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3.5V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
105 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
6700 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
136W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Razred
Automotive
Kvalifikacija
AEC-Q101
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
DPAK
Paket / Primer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Osnovna številka izdelka
SQR50
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Druga imena
SQR50N04-3M8_GE3-DG
SQR50N04-3M8_GE3CT
SQR50N04-3M8_GE3TR
SQR50N04-3M8_GE3DKR
Standardni paket
2,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
BUK752R7-30B,127
MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB
SQM120P06-07L_GE3
MOSFET P-CH 60V 120A TO263
SIUD402ED-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 1A PPAK 0806
