Številka izdelka proizvajalca:
SUD50P10-43L-E3
Product Overview
Proizvajalec:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Številka dela:
SUD50P10-43L-E3-DG
Opis:
MOSFET P-CH 100V 37.1A TO252
Podroben opis:
P-Channel 100 V 37.1A (Tc) 8.3W (Ta), 136W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Zaloga:
9317 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12787556
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
SUD50P10-43L-E3 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Vishay
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
TrenchFET®
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
P-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
100 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
37.1A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
43mOhm @ 9.2A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
160 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
4600 pF @ 50 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
8.3W (Ta), 136W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
TO-252AA
Paket / Primer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Osnovna številka izdelka
SUD50
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
SUD50P1043LE3
SUD50P10-43L-E3-DG
SUD50P10-43L-E3TR
SUD50P10-43L-E3CT
SUD50P10-43L-E3DKR
Standardni paket
2,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
SQM200N04-1M8_GE3
MOSFET N-CH 40V 200A TO263-7
SIHU5N50D-GE3
MOSFET N-CH 500V 5.3A TO251
SIHF8N50L-E3
MOSFET N-CH 500V 8A TO220
