Številka izdelka proizvajalca:
SUM110P06-07L-E3
Product Overview
Proizvajalec:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Številka dela:
SUM110P06-07L-E3-DG
Opis:
MOSFET P-CH 60V 110A TO263
Podroben opis:
P-Channel 60 V 110A (Tc) 3.75W (Ta), 375W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Zaloga:
99907 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12786589
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
SUM110P06-07L-E3 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Vishay
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
TrenchFET®
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
P-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
60 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
110A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
6.9mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
345 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
11400 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
3.75W (Ta), 375W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
TO-263 (D2PAK)
Paket / Primer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Osnovna številka izdelka
SUM110
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Druga imena
SUM110P06-07L-E3DKR
SUM110P06-07L-E3CT
SUM110P06-07L-E3-DG
SUM110P06-07L-E3TR
SUM110P0607LE3
Standardni paket
800
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
SIHP25N60EFL-GE3
MOSFET N-CH 600V 25A TO220AB
SIDR622DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 150V 64.6A PPAK
SIHF30N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 29A TO220
