Številka izdelka proizvajalca:
SUM50020E-GE3
Product Overview
Proizvajalec:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Številka dela:
SUM50020E-GE3-DG
Opis:
MOSFET N-CH 60V 120A TO263
Podroben opis:
N-Channel 60 V 120A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Zaloga:
12920573
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
SUM50020E-GE3 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Vishay
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
TrenchFET®
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
60 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
120A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
7.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
2.2mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
128 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
11150 pF @ 30 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
375W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
TO-263 (D2PAK)
Paket / Primer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Osnovna številka izdelka
SUM50020
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
SUM50020E-GE3-DG
SUM50020E-GE3DKR-DG
SUM50020E-GE3CT
SUM50020E-GE3TR
SUM50020E-GE3DKRINACTIVE
SUM50020E-GE3DKR
Standardni paket
800
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
TK100E06N1,S1X
PROIZVAJALEC
Toshiba Semiconductor and Storage
KOLIČINA NA VOLJO
11
ŠTEVILKA DELA
TK100E06N1,S1X-DG
CENA ENOTE
1.09
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
BSS192,135
MOSFET P-CH 240V 200MA SOT89
SQJA00EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 60V 30A PPAK SO-8
SI7633DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
